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GaAs FET 1.2GHz前置放大器
使用於RF前置放大器的元件有很多种,但是就NF之观点而言,要数砷化镓GaAs
FET最佳。
图4-1为使用GaAs FET的2SK571(日电)的低杂音前置放大器的电路,
功率增益为10dB左右,NF在1dB以下,其价格大约在日币数百元左右。由双面玻璃
纤维(Glass Epoxy)基板洗成条状线(Strip Line)而成,基板使用1.6㎜厚度者,基板的正
反面接上数个地方的焊锡锥。
条状线要图中所示之正确尺寸,零件要以铭铁直接焊在基板上,分别有电阻器、线圈、
微调电容器,最後再焊上FET,接收信号调整TC1、TC2、TC3,调整使NF值达
最佳值即可。由於电路相当简洁,所以最适於天线增波器之前置放大器,但是常因输入过大
而破坏,这是要特别注意的。配合使用於收发报机时,发送接收的切换时序(Timing)要在
确实发送之後再接到前置放大器。

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